삼성전자는 오는 12월6일(현지시간) 세계 최대 반도체 학회 ‘국제전자소자회의(IEDM)’가 개최하는 컨퍼런스에서 차세대 M램 연구개발 성과 논문을 발표할 예정이다. (사진=IEDM 홈페이지 갈무리) 삼성전자가 D램과 낸드플래시의 장점을 합친 차세대 메모리 ‘M램(MRAM)’을 한 단계 더 발전시키며 기술 ‘초격차’를 달성할 전망이다. 삼성전자의 미세공정을 접목해 세계에서 발표된 메모리 중 데이터 읽기 속도가 가장 빠르고 에너지 효율도 높을 것으로 전해졌다. 23일 세계 최대 반도체 학회 ‘국제전자소자회의(IEDM)’에 따르면, 삼성전자는 오는 12월6일(현지시간) ‘IEDM 컨퍼런스’에서 차세대 M램 연구개발 성과 논문을 발표할 예정이다. 삼성전자는 기존 M램이 28㎚(나노미터, 1㎚=10억분의1m)이었다면 더 미세한 14㎚ 공정으로 고도화해 성능을 대폭 향상시켰다고 전했다. 삼성전자 관계자는 “연구팀은 그간 M램에 미세 공정 기술을 적용한 것으로 안다”고 말했다. 이번 컨퍼런스 개요에서 삼성 연구팀은 자기 터널 접합을 삼성의 14㎚ 핀펫 로직 플랫폼으로 축소해 28㎚ 이전 제품에 비해 면적이 33% 확장돼 저장용량이 확대되고 읽기 시간이 2.6배 빨라졌다고 설명했다. 삼성전자는 오는 12월6일(현지시간) ‘국제전자소자회의(IEDM) 컨퍼런스’에서 발표할 차세대 M램 연구개발 성과 논문 개요. 삼성 연구팀이 14㎚ 핀펫 공정 기술을 적용해 28㎚ 이전 제품에 비해 면적이 33% 확대되고 읽기 시간이 2.6배 빨라졌다고 설명하고 있다. (자료=IEDM) M램은 자성체를 빠르게 회전해 빠른 속도로 전자를 이동시키는 방식으로 데이터를 읽고 쓴다. 기존 메모리가 전기를 이용했다면, M램은 자기 신호를 이용한 것. M램의 데이터처리 속도는 D램보다 10배 이상, 낸드플래시보다 1000배 이상 빠르면서도 생산단가도 낮은 것으로 평가된다. 이번 연구 목표는 인공지능(AI)와 같이 대규모 데이터를 필요로 하는 분야에 캐시메모리로서 임베디드 M램의 적합성을 입증하려는 것으로 전해졌다. 삼성전자는 향후 AI, 빅데이터 분석 등에 M램을 활용할 전망이다. IEDM은 내달 3~7일 힐튼 샌프란시스코 유니온스퀘어에서 ‘트랜지스터의 75주년과 글로벌 과제를 해결하기 위한 차세대 변형 장치’를 주제로 컨퍼런스를 연다. 이 컨퍼런스에서 삼성전자는 이번 M램 연구 성과를 발표할 예정이다.

삼성전자, D램·낸드 장점 합친 ‘M램’ 성과 공개한다...가장 빠르고 에너지 효율 ‘초격차’

세계 최대 반도체학회 IEDM에 논문 게재
14나노 공정 적용, 기존 M램 대비 속도 향상

손기호 기자 승인 2022.11.23 10:13 의견 0
삼성전자는 오는 12월6일(현지시간) 세계 최대 반도체 학회 ‘국제전자소자회의(IEDM)’가 개최하는 컨퍼런스에서 차세대 M램 연구개발 성과 논문을 발표할 예정이다. (사진=IEDM 홈페이지 갈무리)


삼성전자가 D램과 낸드플래시의 장점을 합친 차세대 메모리 ‘M램(MRAM)’을 한 단계 더 발전시키며 기술 ‘초격차’를 달성할 전망이다. 삼성전자의 미세공정을 접목해 세계에서 발표된 메모리 중 데이터 읽기 속도가 가장 빠르고 에너지 효율도 높을 것으로 전해졌다.

23일 세계 최대 반도체 학회 ‘국제전자소자회의(IEDM)’에 따르면, 삼성전자는 오는 12월6일(현지시간) ‘IEDM 컨퍼런스’에서 차세대 M램 연구개발 성과 논문을 발표할 예정이다.

삼성전자는 기존 M램이 28㎚(나노미터, 1㎚=10억분의1m)이었다면 더 미세한 14㎚ 공정으로 고도화해 성능을 대폭 향상시켰다고 전했다. 삼성전자 관계자는 “연구팀은 그간 M램에 미세 공정 기술을 적용한 것으로 안다”고 말했다.

이번 컨퍼런스 개요에서 삼성 연구팀은 자기 터널 접합을 삼성의 14㎚ 핀펫 로직 플랫폼으로 축소해 28㎚ 이전 제품에 비해 면적이 33% 확장돼 저장용량이 확대되고 읽기 시간이 2.6배 빨라졌다고 설명했다.

삼성전자는 오는 12월6일(현지시간) ‘국제전자소자회의(IEDM) 컨퍼런스’에서 발표할 차세대 M램 연구개발 성과 논문 개요. 삼성 연구팀이 14㎚ 핀펫 공정 기술을 적용해 28㎚ 이전 제품에 비해 면적이 33% 확대되고 읽기 시간이 2.6배 빨라졌다고 설명하고 있다. (자료=IEDM)


M램은 자성체를 빠르게 회전해 빠른 속도로 전자를 이동시키는 방식으로 데이터를 읽고 쓴다. 기존 메모리가 전기를 이용했다면, M램은 자기 신호를 이용한 것. M램의 데이터처리 속도는 D램보다 10배 이상, 낸드플래시보다 1000배 이상 빠르면서도 생산단가도 낮은 것으로 평가된다.

이번 연구 목표는 인공지능(AI)와 같이 대규모 데이터를 필요로 하는 분야에 캐시메모리로서 임베디드 M램의 적합성을 입증하려는 것으로 전해졌다. 삼성전자는 향후 AI, 빅데이터 분석 등에 M램을 활용할 전망이다.

IEDM은 내달 3~7일 힐튼 샌프란시스코 유니온스퀘어에서 ‘트랜지스터의 75주년과 글로벌 과제를 해결하기 위한 차세대 변형 장치’를 주제로 컨퍼런스를 연다. 이 컨퍼런스에서 삼성전자는 이번 M램 연구 성과를 발표할 예정이다.

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