경계현 사장 (사진=삼성전자)
삼성전자가 지난해 반도체 업황 악화로 최악의 적자를 낸 반도체 부문에 대해 2~3년 안에 세계 1위 자리를 되찾겠다고 의지를 드러냈다.
■ 경계현 사장 “기흥 R&D단지 20조원 투입해 기술 우위”
20일 경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)은 경기 수원컨벤션센터에서 열린 제55기 주주총회에서 “올해는 삼성이 반도체 사업을 시작한 지 50년이 되는 해로, 본격 회복을 알리는 재도약과 DS의 미래 반세기를 개막하는 성장의 한 해가 될 것”이라며 이처럼 강조했다.
그는 “기존 사업만으로는 장기적으로 반도체 1등을 유지할 수 없다”며 “연구개발(R&D) 투자를 통해 얻은 기술 우위를 바탕으로 효율적인 투자와 체질 개선 활동을 강화하고 이를 통해 확보된 재원을 연구개발에 재투자해 성장 기반을 강화하는 선순환구조를 구축할 것”이라고 말했다.
앞서 경 사장은 전날 자신의 사회관계망서비스(SNS) 링크드인에서 “‘AGI(범용인공지능)’의 길을 열기 위해 미국과 한국에서 삼성 반도체 ‘AGI 컴퓨팅랩’ 설립을 발표하게 돼 기쁘다”며 “특별히 설계된 완전히 새로운 유형의 반도체를 만들기 위해 노력하고 있다”고 말하기도 했다.
삼성전자는 반도체연구소를 양적·질적 측면에서 2배로 확대한다는 계획이다. 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 한다는 구상이다.
경 사장은 “삼성전자 DS부문은 V낸드, 로직 핀펫(FinFET), 게이트올어라운드(GAA) 등 초일류 기술을 통해 미세화의 한계를 극복하고 업계 내 독보적 경쟁력을 갖췄다”며 “앞으로도 새로운 기술을 선행해서 도전적으로 개발할 계획”이라고 했다.
이를 위해 오는 2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원을 투입하는 등 연구개발에 과감하게 투자할 방침이다.
■ “12단 적층 HBM 선행 통해 주도권 되찾을 것”
메모리는 12나노급 32Gb DDR5 D램를 활용한 128GB 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단 적층 HBM 선행을 통해 HBM3/HBM3E 시장의 주도권을 찾는다는 계획이다.
또한 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침이다.
파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다. 또 오토모티브, RF(Radio Frequency) 등 특수공정의 완성도를 향상하고 4/5/8/14나노 공정의 성숙도를 높여 고객 포트폴리오를 확대할 방침이다.
시스템LSI사업부의 SoC(System on Chip)사업은 플래그십 SoC의 경쟁력을 더욱 높이고 오토모티브 신사업 확대 등 사업구조를 고도화 할 계획이다.
■ DX부문 “삼성 모든 디바이스에 AI 심어”
삼성전자는 모든 디바이스에 AI를 적용해 생성형 AI와 온디바이스 AI 경험을 제공한다는 방침이다.
이를 위해 스마트폰, 폴더블, 액세서리, XR 등 갤럭시 전제품에 AI 적용을 확대한다는 계획이다. 또 차세대 스크린 경험을 위해 AI 기반 화질·음질 고도화, 한 차원 높은 개인화된 콘텐츠 추천 등을 전개해 나갈 예정이다. 최근 공개한 올인원 세탁·건조기 비스포크 AI 콤보를 통해 일반 가전제품을 지능형 홈가전으로 업그레이드할 계획이다.
삼성전자는 “전사적 AI 역량을 고도화해 차세대 전장, 로봇, 디지털 헬스 등 신사업 육성을 적극 추진할 것”이라고 밝혔다.