SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장이 2일 이천 본사에서 ‘AI시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 기자 간담회를 진행하고 있다. (사진=SK하이닉스)
SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 선두를 뺏기지 않기 위한 공급 확보에 나섰다. ‘5세대 고대역폭메모리(HBM3E)’ 12단 제품의 3분기 양산을 공식 선언하며, 삼성전자를 따돌린다는 방침이다. 앞서 삼성전자는 지난 2월 HBM2E 12단 제품을 2분기 내 양산한다는 계획을 밝혔다. SK하이닉스는 이에 대한 맞불을 놓은 셈이다.
또한 SK하이닉스는 AI 반도체 수요가 크게 늘면서 올해에 이어 내년 HBM 물량까지 '완판'했다고 강조했다.
2일 곽노정 SK하이닉스 대표는 경기도 이천 본사에서 열린 기자간담회를 통해 이처럼 밝혔다. 그는 "HBM은 올해도 솔드아웃(완판), 내년도 대부분 솔드아웃"이라며 "HBM3E 12단 제품을 5월 샘플로 제공하고, 3분기 양산이 가능하도록 준비하고 있다"고 말했다.
또한 올해까지 HBM 누적 매출이 백수십억 달러라고도 언급했다. 이는 경쟁사인 삼성전자의 누적 예상 매출액(100억 달러)을 넘는 수치다. HBM 분야에서 SK하이닉스가 선두에 있음을 강조한 것이다.
이날 기자간담회는 ‘AI시대, SK하이닉스 비전과 전략’ 주제로 열렸다. 이 자리에는 곽 대표를 비롯한 SK하이닉스 주요 경영진이 대거 나와 HBM을 비롯한 AI메모리 전략과 향후 한국과 미국 반도체 공장 증설 계획에 대해 설명했다.
■ HBM 단수 경쟁 본격 돌입
현재 HBM은 SK하이닉스가 5세대 8단 제품을 내놓으며 주도하고 있다. AI 가속기 시장을 사실상 독점하고 있는 미국 엔비디아 제품에 SK하이닉스의 HBM3E 8단 제품이 공급되고 있어서다.
이 때문에 삼성전자는 지난달 30일 8단보다 고용량인 12단 제품 양산 시점을 올해 2분기로 앞당겨 HBM 경쟁을 본격화하겠다는 전략을 밝혔다. 이에 SK하이닉스는 사흘만에 동일 제품 양산 계획을 밝힌 것. 곽노정 대표는 "시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해서"라고 답했다.
또한 SK하이닉스는 '높이 쌓는 기술'에서도 더 우수하다는 점을 강조했다.
패키징 및 테스트 총괄 최우진 P&T 담당 부사장은 "일각에서 우리 적층 기술이 높이 쌓을 때 한계를 보일 수 있다고 하지만 이미 우리는 HBM3(4세대) 12단 제품을 양산하고 있다"고 말했다. 그는 "SK하이닉스가 사용하는 'MR-MUF 기술'은 여러 층의 D램을 한 번에 포장하는 기술"이라며 "오븐에 넣고 한번에 구워내는 방식이라 생각하면 쉽다. 방열 효과가 뛰어난 보호재를 주입해 칩 사이를 채우고 칩과 그 주변을 감싼 뒤 열과 압력을 가해 굳히는 방식"이라고 설명했다.
특히 최 부사장은 "최근 도입한 어드밴스드 MR-MUF 방식은 신규 보호재를 이용해 방열 특성을 10% 개선했다"며 "더 적은 열과 압력을 이용해 굳힐 수 있어 12단, 16단을 쌓더라도 문제없다"고 말했다. SK하이닉스는 6세대 HBM4도 MR-MUF 기술을 적용한다는 구상이다.
SK하이닉스가 2일 이천 본사에서 기자간담회를 진행하고 있다. (왼쪽부터) 김주선 사장(AI Infra 담당), 곽노정 대표이사 사장, 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김우현 부사장(CFO) (사진=SK하이닉스)
■ HBM 공급과인 우려는?…"기존 메모리 시장과 다르다"
SK하이닉스를 비롯해 다른 반도체 경쟁사들까지 본격 HBM 경쟁에 뛰어들면서 공급 과잉 우려가 나온다. 이에 SK하이닉스는 수요에 따라 투자를 집행하고 있어서 과잉을 억제하고 있다고 했다. 또 AI가 발전하고 있어 당분간 수요가 지속될 전망이라는 설명이다.
곽 대표는 "HBM시장은 고객 수요에 따라 투자를 집행하고 있기 때문에 과잉 수요를 억제한다"며 "기존과는 양상이 다른 시장"이라고 했다. 또한 그는 "AI 성능이 고도화되고 있어 당분간 HBM 시장은 연평균 60% 이상 성장이 있을 것으로 예상된다"고 했다.
SK하이닉스는 HBM 선두 유지에도 자신감을 나타냈다. 곽 대표는 "HBM 기술은 하늘에서 뚝 떨어지는 것이 아니다"라며 "SK그룹은 2012년 타사들이 메모리 불황으로 투자를 10% 가량 줄일 때, 오히려 투자를 늘렸다"고 강조했다.
■ 청주·용인·인디애나 신규 팹 구축…차세대 반도체 등 수요 대응
SK하이닉스는 차세대 반도체 생산기지 청주 M15X 공장, 용인 클러스터, 인디애나 패키징 시설에 대한 계획에 대해서도 설명했다.
최근 SK하이닉스가 20조원을 투자하는 청주 M15X 공장은 D램용으로 지어진다. 제조기술 담당 김영식 부사장은 "지난달 건설 공사에 착수했다"며 "내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어갈 것"이라고 했다. 이곳은 연면적 6만3000평 규모의 복층 시설이다. 현재 HBM을 생산하는 M15와 가까이 있어 생산 효율을 높일 수 있다고 SK하이닉스는 설명했다.
용인 클러스터는 차세대 메모리 개발과 생산기지로 세워진다. 이곳은 415만㎡(약 126만평) 부지로, 총 4기 팹을 짓는다. 첫 팹은 내년 3월에 공사에 들어가 오는 2027년 5월 준공을 목표로 한다. 김 부사장은 "1기 팹에서는 D램을 생산할 계획이고, 이후 지어질 팹은 그때 기술 상황에 맞춰 용도를 정할 것"이라고 말했다. 1기 팹의 1단계 부지 조성 공사 진척률은 현재 42%다.
미국 인디애나 시설은 5조2000억원을 들여 패키징 및 연구개발 시설로 만든다. 이곳에서는 미국 빅테크 등 현지 고객들에 공급될 HBM을 패키징할 예정이다. 김 부사장은 "현재 패키징 작업은 용인에서 고려되지 않고 있다"고 했다.