SK하이닉스가 세계 최고속 모바일 D램 ‘LPDDR5T’ 개발에 성공했다고 25일 밝혔다. 두 달 만에 속도가 이전 모델보다 13% 더 빨라진 제품을 출시했다. (사진=SK하이닉스)
SK하이닉스가 세계 최고속 모바일 D램 ‘LPDDR5T’ 개발에 성공했다. 두 달 만에 속도가 이전 모델보다 13% 더 빨라진 제품을 내놨다.
SK하이닉스는 현존 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T’를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다고 25일 밝혔다. 이는 지난해 11월 공개한 LPDDR5X를 업그레이드한 제품이다.
SK하이닉스 관계자는 “이번 신제품의 동작속도를 LPDDR5X 대비 13% 빨라진 9.6Gbps(초당 9.6기가비트)까지 높였다”며 “최고속도를 구현했다는 점을 부각하기 위해 회사는 규격명인 LPDDR5 뒤에 ‘터보(Turbo)’를 붙여 제품명을 자체 명명했다”고 설명했다.
LPDDR5T는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동한다. 회사 측은 속도는 물론 초저전력 특성도 동시에 구현해낸 제품이라고 SK하이닉스는 강조했다.
SK하이닉스는 “초당 8.5Gb 속도의 LPDDR5X를 내놓은 지 불과 두 달 만에 기술 한계를 다시 한 번 돌파했다”며 “이번 신제품을 기반으로 고객이 필요로 하는 다양한 용량의 제품을 공급해 모바일용 D램 시장의 주도권을 견고히 하겠다”고 밝혔다.
SK하이닉스는 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 16GB(기가바이트) 용량의 패키지 제품으로 만들어 샘플을 고객에게 제공했다. 패키지 제품의 데이터 처리 속도는 초당 77GB다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준의 속도다.
SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정 기반으로 올해 하반기부터 이 제품을 양산할 계획이다. SK하이닉스는 LPDDR5X에 이어 이번 제품에도 ‘HKMG’ 공정을 적용했다. HKMG는 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용한 것으로 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정이다. 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다.
SK하이닉스 관계자는 “HKMG 공정 기술력을 통해 신제품이 최고의 성능을 갖추게 됐다”며 “다음 세대인 LPDDR6가 나오기 전까지는 기술력 격차를 획기적으로 벌린 LPDDR5T가 시장을 주도할 것으로 기대한다”고 말했다.