21일 삼성전자는 업계 최선단인 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램(사진) 개발에 성공했다고 밝혔다. (사진=삼성전자)
삼성전자가 업계 최선단인 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램 개발에 성공했다. 최근 AMD와 함께 호환성 검증까지 마쳤다. 반도체 한파에 적극 대응하고 나섰다.
21일 삼성전자는 이처럼 업계 최초로 12나노급 16Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 이전 세대 제품 대비 생산성을 약 20% 향상시켰다고 밝혔다. 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 말한다.
이번 DDR5 규격의 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원해 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있다.
삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 높이고, 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했다.
삼성전자 관계자는 “멀티레이어 EUV(극자외선) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다”며 “12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다”고 설명했다.
소비 전력도 향상됐다. 이번 제품은 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 23% 개선됐다. 이에 따라 기후위기에 대응하는 글로벌 IT기업들에게 최상의 솔루션이 될 것으로 기대된다고 회사 측은 밝혔다.
삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 방침이다. 데이터센터를 비롯해 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급해 반도체 한파를 극복할 계획이다.
삼성전자는 다가오는 2023년부터 업계 최선단, 최고 성능의 12나노급 D램을 양산할 예정이다. 향후 글로벌 IT기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 이주영 부사장은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라고 강조했다.
그는 “차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터, 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속가능한 경영환경을 제공할 것”이라고 덧붙였다.
AMD 조 매크리 최고기술책임자(CTO)는 “기술의 한계를 뛰어 넘는 혁신을 위해서는 업계 파트너 간 긴밀한 협력이 필요하다”며 “AMD의 젠(Zen) 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는데 삼성과 협력해 기쁘다”고 밝혔다.